2022年03月29日
2022年3月29下午,北京大学材料科学与工程学院教授张艳锋教授受邀给我校物理学院老师和研究生做了题为“过渡金属硫属化合物的晶圆级制备和应用探索”的报告。该报告是“21世纪学科前沿”系列学术报告之一,受到了物理学院广大师生的欢迎。
单层半导体性过渡金属硫属化合物作为继石墨烯之后另一类备受关注的二维层状材料,在光/电子学器件,光电催化等领域具有重要应用前景。大面积均匀、大畴区、层数可控、晶圆级单晶的可控制备是应用的关键。基于此,报告围绕二维层状结构材料及其异质结可控制备($\mathrm{Gr - hBN}$, $\mathrm{MoS}$, / $\mathrm{Gr/MX}$, $\mathrm{MX}$, etc)、在位高分辨表征 (STM/STS, PEEM, etc.)、新应用领域的开拓(电催化制氢、超级电容器、柔性透明电极)等。报告介绍了通过独创的CVD面对面前驱体均匀供给法,选用廉价易得的玻璃基底,实现了目前得到最大面积 (6英寸)、大畴区单层$\mathrm{MoS}_2$快速制备。以及基于衬底亲水性,可以在玻璃上实现 “绿色”且缺陷密度低的薄膜自发分离。应用方面,报告介绍了$\mathrm{VS}_2$ 纳米片作为单层$\mathrm{MoS}_2$电极接触、$\mathrm{VS}_2$ 纳米片作为水相超级电容器电极低缺陷密度;$\mathrm{NiTe}_2$ 纳米片的环境稳定性、高导电性、电化学活性等前沿成果,引起与会者广泛的思考和热烈讨论。
报告人系北京大学材料科学与工程学院教授张艳锋,2005年7月于中科院物理所凝聚态物理专业获博士学位。2006-2009在日本东北大学做博士后,获得日本学术振兴会( JSPS )的资助。 2010年4月受聘北京大学优秀青年人才计划(“百人计划” ) ,加入工学院材料科学与工程系, 先后任职研究员、长聘教授。目前致力于二维新材料及其异质结构的可控制备、精密表征以及新奇特性研究。已在Science, Nat. Commun., Adv. Mater.等杂志发表论文180余篇。曾获国家优秀青年科学基金( 2012 )资助,入选教育部长江学者奖励计划“青年项目” ( 2015 ) ,2019年获得国家杰出青年科学基金资助。